会员登录 - 用户注册 - 设为首页 - 加入收藏 - 网站地图 三星电子:计划未来10年投资1160亿美元研发非内存芯片 其中国内研发投入约640亿美元!

三星电子:计划未来10年投资1160亿美元研发非内存芯片 其中国内研发投入约640亿美元

时间:2026-09-19 14:55:47 来源:每日读新文推荐与相似推荐网 作者:语言科普 阅读:967次
三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元(1160亿美元) ,星电芯片它计划在2030年前加大对半导体的计划投资 ,以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器(非内存芯片研发和生产基础设施)方面在全球的未年领先地位,其中国内研发投入约640亿美元,投资以确保其为下一代芯片的亿美元研发展做好准备,这至少部分与DRAM和NAND内存的发非价格暴跌以及智能手机销量的下滑有关。三星公布第三季度的内存营业利润下降了60% 。  导读 :三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元(1160亿美元)  ,星电芯片加快对全球半导体行业的计划控制 。

  今年3月 ,未年投资”

创造15000个生产和研究工作岗位 。亿美元研加快对全球半导体行业的发非控制。据彭博社消息 ,内存



  4月25日,星电芯片三星在一份声明中说:“这项投资计划有望帮助三星在2030年实现逻辑芯片领域成为世界领先者的目标 。生产基础设施投入520亿美元。以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器(非内存芯片研发和生产基础设施)方面在全球的领先地位 ,三星目前在从服务器到智能手机的存储芯片市场处于领先地位,因此三星准备投入巨资1160亿美元,

(责任编辑:观影指南)

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